钛酸(suān)鋇是(shì)一(yī)種(zhǒng)典型鈣钛礦型結構晶體(tǐ)，具有(yǒu)高(gāo)介電(diàn)常數、低(dī)介電(diàn)損耗、較大(dà)的(de)電(diàn)阻率，高(gāo)耐壓強(qiáng)度(dù)和(hé)優异(yì)的(de)绝緣性(xìng)能(néng)等特(tè)性(xìng)，廣泛應(yìng)用(yòng)于(yú)多(duō)层(céng)陶瓷電(diàn)容器（MLCC）、热(rè)敏電(diàn)阻器（PTCR）、電(diàn)光(guāng)器件(jiàn)和(hé)動(dòng)态随機(jī)存儲器（FRAM）等方(fāng)面(miàn)，是(shì)電(diàn)子功能(néng)陶瓷器件(jiàn)的(de)基础原料，因(yīn)此(cǐ)被廣大(dà)學(xué)者和(hé)生(shēng)産廠(chǎng)家称为(wèi)電(diàn)子陶瓷産业的(de)支柱(zhù)。

    钛酸(suān)鋇晶胞結構（a）为(wèi)立方(fāng)相，（b）、（c）为(wèi)四(sì)方(fāng)相
    1、钛酸(suān)鋇用(yòng)于(yú)多(duō)层(céng)陶瓷電(diàn)容器（MLCC）

    多(duō)层(céng)陶瓷電(diàn)容器又称为(wèi)獨石(dàn)電(diàn)容器，是(shì)當今世界上(shàng)使用(yòng)量(liàng)最(zuì)大(dà)的(de)片(piàn)式電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)，具有(yǒu)電(diàn)容量(liàng)大(dà)、外(wài)形尺(chǐ)寸(cùn)小、良好(hǎo)的(de)密封(fēng)特(tè)性(xìng)等。MLCC作(zuò)为(wèi)基础的(de)電(diàn)子元(yuán)件(jiàn)，在(zài)移動(dòng)通(tòng)信(xìn)、家用(yòng)電(diàn)器、汽車電(diàn)子、航空(kōng)軍工等領域得到(dào)非(fēi)常廣泛的(de)應(yìng)用(yòng)。

    多(duō)层(céng)陶瓷電(diàn)容器（MLCC）

    在(zài)20世紀50年(nián)代已經(jīng)開(kāi)始(shǐ)大(dà)規模生(shēng)産由(yóu)钛酸(suān)鋇制備的(de)MLCC。MLCC是(shì)以(yǐ)電(diàn)子陶瓷材料为(wèi)電(diàn)介質(zhì)，将配制好(hǎo)的(de)陶瓷漿料通(tòng)过(guò)丝(sī)网印刷或(huò)流延的(de)方(fāng)法(fǎ)制備出(chū)陶瓷介質(zhì)厚膜，然後(hòu)在(zài)介質(zhì)厚膜上(shàng)印刷内電(diàn)极(jí)，将印刷好(hǎo)電(diàn)极(jí)的(de)陶瓷厚膜交替錯開(kāi)並(bìng)热(rè)等静(jìng)壓，形成(chéng)多(duō)个(gè)厚膜電(diàn)容器並(bìng)聯的(de)形式，再經(jīng)过(guò)燒結，塗覆外(wài)電(diàn)极(jí)漿料得到(dào)多(duō)层(céng)陶瓷電(diàn)容器。

    近年(nián)来(lái)随着電(diàn)子器件(jiàn)小型化(huà)的(de)發(fà)展(zhǎn)，MLCC的(de)介質(zhì)层(céng)厚度(dù)在(zài)不(bù)斷減小且介質(zhì)层(céng)數量(liàng)在(zài)不(bù)斷增加，含有(yǒu)500层(céng)以(yǐ)上(shàng)且每层(céng)厚度(dù)为(wèi)2μm的(de)MLCC已經(jīng)被研制出(chū)。MLCC如(rú)此(cǐ)快(kuài)速的(de)發(fà)展(zhǎn)必将導致(zhì)市(shì)场对(duì)其(qí)原料提(tí)出(chū)更(gèng)高(gāo)的(de)要(yào)求，其(qí)中(zhōng)钛酸(suān)鋇粉體(tǐ)是(shì)制備MLCC的(de)基础原材料之(zhī)一(yī)，市(shì)场份額約占在(zài)60%-70%，因(yīn)此(cǐ)对(duì)钛酸(suān)鋇粉體(tǐ)的(de)改良尤为(wèi)重要(yào)。为(wèi)了(le)制備更(gèng)薄性(xìng)能(néng)更(gèng)佳的(de)介質(zhì)层(céng)，高(gāo)純纳米(mǐ)級單分(fēn)散钛酸(suān)鋇粉體(tǐ)的(de)制備方(fāng)法(fǎ)成(chéng)为(wèi)國(guó)内外(wài)學(xué)者所(suǒ)關(guān)注的(de)热(rè)點(diǎn)。

    2、钛酸(suān)鋇用(yòng)于(yú)正(zhèng)温(wēn)度(dù)系(xì)數热(rè)敏電(diàn)阻（PTCR）

    具有(yǒu)正(zhèng)温(wēn)度(dù)系(xì)數的(de)热(rè)敏電(diàn)阻器件(jiàn)几乎在(zài)所(suǒ)有(yǒu)工程領域都得到(dào)廣泛的(de)應(yìng)用(yòng)。制作(zuò)PTC热(rè)敏電(diàn)阻器通(tòng)常采用(yòng)钛酸(suān)鋇陶瓷材料，具有(yǒu)铁(tiě)電(diàn)性(xìng)的(de)半導體(tǐ)化(huà)钛酸(suān)鋇，當温(wēn)度(dù)达(dá)到(dào)居(jū)里(lǐ)點(diǎn)Tc时(shí)，它(tā)由(yóu)四(sì)方(fāng)相轉(zhuǎn)變(biàn)为(wèi)立方(fāng)相，此(cǐ)时(shí)電(diàn)阻率躍增几个(gè)數量(liàng)級（103-107倍），PTCR就(jiù)是(shì)根(gēn)據(jù)这(zhè)个(gè)特(tè)性(xìng)制作(zuò)的(de)。半導體(tǐ)化(huà)钛酸(suān)鋇陶瓷制作(zuò)的(de)PTCR其(qí)中(zhōng)一(yī)个(gè)重要(yào)應(yìng)用(yòng)就(jiù)是(shì)作(zuò)为(wèi)温(wēn)度(dù)或(huò)温(wēn)度(dù)相關(guān)參數的(de)檢測及(jí)控制器。
    3、钛酸(suān)鋇用(yòng)于(yú)其(qí)他(tā)特(tè)種(zhǒng)陶瓷

    壓電(diàn)性(xìng)能(néng)是(shì)指晶體(tǐ)极(jí)化(huà)狀态随外(wài)加應(yìng)力變(biàn)化(huà)的(de)性(xìng)質(zhì)，包(bāo)括正(zhèng)壓電(diàn)效應(yìng)和(hé)逆壓電(diàn)效應(yìng)。基于(yú)钛酸(suān)鋇良好(hǎo)的(de)壓電(diàn)性(xìng)能(néng)，主(zhǔ)要(yào)被應(yìng)用(yòng)于(yú)聲音(yīn)傳感(gǎn)器、超聲馬达(dá)、醫學(xué)成(chéng)像、電(diàn)子點(diǎn)火(huǒ)器、蜂鳴器等方(fāng)面(miàn)。

    钛酸(suān)鋇的(de)壓電(diàn)效應(yìng)

    铁(tiě)電(diàn)性(xìng)是(shì)指晶體(tǐ)能(néng)夠發(fà)生(shēng)自(zì)發(fà)极(jí)化(huà)，且自(zì)發(fà)极(jí)化(huà)方(fāng)向(xiàng)随着外(wài)加電(diàn)场方(fāng)向(xiàng)變(biàn)化(huà)而(ér)變(biàn)化(huà)的(de)一(yī)種(zhǒng)性(xìng)能(néng)。基于(yú)钛酸(suān)鋇良好(hǎo)的(de)铁(tiě)電(diàn)性(xìng)能(néng)，可(kě)用(yòng)于(yú)铁(tiě)電(diàn)随機(jī)存取(qǔ)存儲器（FRAM）、铁(tiě)電(diàn)场效應(yìng)晶體(tǐ)管(guǎn)（FFET）、铁(tiě)電(diàn)動(dòng)态随機(jī)存取(qǔ)存儲器（FDRAM）等方(fāng)面(miàn)。